På 1990-talet satsade ABB i Sverige tillsammans med staten närmare en miljard på att utveckla nya krafthalvledare i kiselkarbid, SiC, som kallades Powerchip.
En första Powerchip, en diod, skulle testas i världens första HVDC Lightanläggning Hällsjön-Grängesberg.
Krafthalvledare i kiselkarbid skulle tåla mycket högre temperaturer, högre spänningar och ge väsentligt lägre förluster i exempelvis HVDC-anläggningar.
Efter sex års forskning och utveckling gav ABB upp.
Patenten och kunnandet såldes 2003 till det amerikanska företaget Cree, som sedan många år är ledande på kiselkarbid och de fortsatte att satsa på att utveckla SiC-halvledare.
Halvledarföretaget Cree och ABB:s affärsområde Power Grids har nu skrivit avtal om att gemensamt verka för att halvledare i kiselkarbid når ut brett i fordons-och industrilösningar.
I avtalet ingår att ABB Power Grids börjar använda Crees Wolfspeeds SiC-kretsar i sin breda produktportfölj, bland annat i HVDC-tillämpningar.
Cree investerar 900 miljoner dollar under de närmaste fem åren på kraftigt ökad kapacitet inom SiC-tillverkning.
Publicerad i Annonsbladet Dalarna, Ludvika/Smedjebacken 449
